黃仁勛在中國(guó)臺(tái)灣的行程聚焦于先進(jìn)封裝 CoWoS。
1月16日，英偉達(dá)CEO黃仁勛開啟中國(guó)臺(tái)灣行程，首站到訪矽品精密并出席揭牌儀式。黃仁勛在儀式上強(qiáng)調(diào)，CoWoS技術(shù)對(duì)未來技術(shù)發(fā)展具有戰(zhàn)略意義，“英偉達(dá)的芯片是全球最大的芯片，我們現(xiàn)在需要更復(fù)雜的先進(jìn)封裝技術(shù)，將更多芯片封裝在一起，所以先進(jìn)封裝史無前例的重要”。
黃仁勛還提到，從BG到CoWoS，矽品與英偉達(dá)共同在GPU、機(jī)器人等領(lǐng)域合作，經(jīng)過多年的共同努力，雙方都成長(zhǎng)為更好、更強(qiáng)大的公司，現(xiàn)在所共同貢獻(xiàn)的業(yè)績(jī)已是10年前的10倍，近一年也以2倍的速度高速成長(zhǎng)。
值得注意的是，矽品承接的CoWoS訂單主要來自臺(tái)積電的產(chǎn)能外溢。1月17日上午，黃仁勛在接受媒體采訪時(shí)透露，（當(dāng)天）將與臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家共進(jìn)午餐，并表達(dá)對(duì)其卓越支持的感謝。
芯謀研究高級(jí)分析師呂琦娃在接受時(shí)代周報(bào)記者采訪時(shí)表示，CoWoS主要應(yīng)用于AI算力芯片及HBM。英偉達(dá)占臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能整體供應(yīng)量比重超過50%。其中，英偉達(dá)Hopper系列的A100和H100、Blackwell Ultra 都采用臺(tái)積電CoWoS封裝工藝。
粉碎砍單謠言
在臺(tái)積電與矽品積極建廠擴(kuò)產(chǎn)之際，市場(chǎng)卻傳來英偉達(dá)砍單的消息。
近日，野村證券最新發(fā)布的報(bào)告指出，英偉達(dá)因Hopper GPU逐步停產(chǎn)及多項(xiàng)產(chǎn)品需求放緩，將大砍2025年的CoWoS先進(jìn)封裝訂單，其中在臺(tái)積電、聯(lián)電等砍掉的CoWoS-S訂單量高達(dá)80%。
對(duì)此，臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示，這都是傳聞?！拔覀兣U(kuò)產(chǎn)來達(dá)到客戶的需求，砍單不會(huì)發(fā)生，只有繼續(xù)增長(zhǎng)?！贝送?，魏哲家進(jìn)一步透露，臺(tái)積電2025年 AI 相關(guān)需求持續(xù)強(qiáng)勁增加，2025年 AI 加速器營(yíng)收可望翻倍；2024年至2029年 AI 加速器營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率接近45%。
黃仁勛也回應(yīng)稱，英偉達(dá)目前正在增加訂單，“我們正從CoWoS-S轉(zhuǎn)換到更復(fù)雜的CoWoS-L，由于CoWoS-L產(chǎn)能增加，所以并沒有產(chǎn)能減少的問題”。
圖源：臺(tái)積電官網(wǎng)
技術(shù)上，臺(tái)積電將CoWoS封裝分為三種類型，CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L，其主要區(qū)別在于中介層的不同。其中 CoWoS-S 最為經(jīng)典、應(yīng)用最廣，采用硅作為中介層；CoWoS-R 基于 InFO 技術(shù)，利用 RDL 中介層互連各 chiplets（小芯片）；CoWoS-L 結(jié)合了 CoWoS-S 和 InFO 技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，使用內(nèi)插器 與 LSI（本地硅互連）芯片進(jìn)行芯片間互連，同時(shí)用于電源和信號(hào)傳輸?shù)?RDL 層提供靈活集成。
天風(fēng)國(guó)際證券分析師郭明錤認(rèn)為，由于英偉達(dá)Hopper芯片供應(yīng)減少、GB200A芯片被移除，因此對(duì)CoWoS-L 的需求急迫性高于CoWoS-S。
國(guó)內(nèi)封裝廠商的機(jī)遇來了？
Yole Intelligence數(shù)據(jù)顯示，2028 年先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 786 億美元，占總封裝市場(chǎng)的 58%。其中，在人工智能、5G 通信和高性能計(jì)算等產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)下，2.5D/3D 封裝成為行業(yè)黑馬，預(yù)計(jì)到 2028 年，將一躍成為第二大先進(jìn)封裝形式。
當(dāng)前，臺(tái)積電先進(jìn)封裝主要基于 3D Fabric 技術(shù)平臺(tái)，包括基于前端的 SoIC 技術(shù)、基于后端的 CoWoS 和 InFO 技術(shù)。三星先進(jìn)異構(gòu)封裝，提供從 HBM 到 2.5D/3D 的交鑰匙解決方案，包括了2.5D i-Cube 和 3D X-Cube。英特爾2.5D/3D 封裝則主要通過 EMIB 和 Foveros 兩個(gè)技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
與三星、英特爾方案相比，臺(tái)積電 COWOS 封裝已經(jīng)成為當(dāng)前高性能計(jì)算的主流路線，持續(xù)供不應(yīng)求。
為了應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，臺(tái)積電正加速CoWoS產(chǎn)能擴(kuò)張。2024年4月，臺(tái)積電宣布將以超過60%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）擴(kuò)大CoWoS產(chǎn)能，這一擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃將持續(xù)至2026年。
當(dāng)前，承接臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能外溢的OSAT（芯片封測(cè)廠商）全部集中在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。其中矽品負(fù)責(zé)利潤(rùn)較高的oS后段制程，利潤(rùn)較高的CoW前段制程主要還是由臺(tái)積電自家工廠負(fù)責(zé)。
事實(shí)上，CoWoS作為先進(jìn)的2.5D封裝技術(shù)，由CoW與oS兩部分組成。該技術(shù)先將芯片通過CoW的封裝制程連接至硅晶圓，再把 CoW 芯片與基板(Substrate)連接，整合成 CoWoS，核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。
然而，2024年8月，臺(tái)積電首次將CoW前段制程訂單外包給矽品，預(yù)計(jì)2025年第三季度開始出貨。業(yè)界認(rèn)為，除了矽品先進(jìn)封裝技術(shù)獲得一定認(rèn)可，也意味著CoWoS產(chǎn)能依然比較緊張。
甬興證券認(rèn)為，臺(tái)積電產(chǎn)能不足可能會(huì)導(dǎo)致 AI 芯片大廠將目光轉(zhuǎn)向其他 OSAT，具備 2.5D 封裝技術(shù)的國(guó)內(nèi)封裝大廠有望從中受益。
我國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)起步較早，發(fā)展迅速，但長(zhǎng)期以來以傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品為主。目前，國(guó)內(nèi)封裝大廠在后道環(huán)節(jié)和異質(zhì)異構(gòu)集成方面積累了豐富經(jīng)驗(yàn)，尤其在SiP（系統(tǒng)級(jí)封裝）和WLP（晶圓級(jí)封裝）等技術(shù)領(lǐng)域具有相對(duì)優(yōu)勢(shì)。
同時(shí)，國(guó)內(nèi)廠商正積極布局2.5D/3D封裝、Chiplet等前沿技術(shù)。近年來，通過一系列并購和技術(shù)積累，國(guó)內(nèi)封裝企業(yè)快速提升了先進(jìn)封裝技術(shù)能力，逐步具備了與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。
其中長(zhǎng)電科技擁有高集成度的晶圓級(jí) WLP、2.5D/3D、系統(tǒng)級(jí)(SiP)封裝技術(shù)和高性能的 Flip Chip 和引線互聯(lián)封裝技術(shù)。通富微電超大尺寸2D+封裝技術(shù)及3維堆疊封裝技術(shù)均獲得驗(yàn)證通過。華天科技已掌握了SiP、FC、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP、3D等集成電路先進(jìn)封裝技術(shù)，持續(xù)推進(jìn)FOPLP封裝工藝開發(fā)和2.5D工藝驗(yàn)證。
呂琦娃指出，國(guó)內(nèi)封裝大廠在提升良率方面仍需努力，但這一過程需要一定的時(shí)間積累。
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